在“十四五"規劃與2035年遠景目標指引下，我國半導體產業正加速攻克關鍵核心技術。錫基鈣鈦礦作為新型無鉛半導體材料，因其優異特性被視為實現彎道超車的重要方向，但其實際應用一直受限于Sn2?易氧化、結晶質量差等技術瓶頸。

近日，復旦大學研究團隊在《Nature Communications》發表重要研究成果，通過低維模板引導結晶與延遲結晶動力學調控策略，成功制備出高遷移率(43 cm2V?1s?1)、高開關比(>10?)的錫基鈣鈦礦晶體管。值得一提的是，該研究關鍵數據均通過澤攸科技JS系列臺階儀進行精確表征，為突破性成果的取得提供了重要支撐。

薄膜厚度精準控制：器件性能的關鍵保障

在該項研究中，薄膜厚度的精準控制對器件性能至關重要。研究人員使用了澤攸科技的JS系列臺階儀對旋涂并退火后的鈣鈦礦薄膜進行了精確的厚度表征，確認了優化后的薄膜厚度均一地保持在約40nm。

這種納米級的精密測量數據為理解薄膜形貌與器件性能之間的構效關系提供了關鍵的實證支持，最終助力該器件在氮氣環境中存儲30天后仍能保持高度的電學穩定性。

技術創新亮點：低維模板引導結晶動力學調控

研究團隊創新性地引入苯乙基銨硫氰酸鹽(PEASCN)與甲酸甲脒(FAHCOO)/碘化銨(NH?I)協同策略，成功實現了錫基鈣鈦礦薄膜結晶過程的精確調控。

這一策略通過延遲結晶動力學，為低維中間相的自組裝提供了充足時間窗口，最終在退火過程中引導高維相沿垂直方向有序外延生長，顯著提升了薄膜質量。

氧化抑制與薄膜質量協同提升

針對錫基鈣鈦礦材料面臨的核心挑戰，研究通過多重機制協同解決Sn2?易氧化難題。實驗結果顯示，PEASCN-FAHCOO基薄膜具有致密均勻的形貌，表面粗糙度降至5.5 nm，為高性能晶體管奠定了材料基礎。

卓yue 器件性能與穩定性

基于優化的錫基鈣鈦礦薄膜，研究團隊制備的場效應晶體管展現出卓yue 的電學性能：室溫遷移率達43 cm2V?1s?1，開關比超過10?，亞閾值擺幅為0.66 V/dec。

更為重要的是，該器件表現出優異的穩定性。未封裝器件在氮氣環境中存儲30天后，遷移率仍保持初始值的82%，在5000次開關循環后，開/關比保持率高達98.3%。

澤攸科技JS系列臺階儀：國產gao 端測量設備的驕傲

澤攸科技JS系列臺階儀作為國產高精度表面測量設備的代表，憑借其創新的技術架構、靈活的應用場景及可靠的測量性能，可以對微納結構進行膜厚和臺階高度、表面形貌等的精確測量。

澤攸科技JS系列臺階儀

作為國產科學儀器的突破性成果，JS系列臺階儀打破了國外品牌在gao 端表面測量設備領域的長期壟斷，憑借高性價比與本地化服務優勢，正成為國內高校、科研機構及制造企業的優選設備。

此項研究不僅展示了我國在新材料領域的創新能力，也證明了國產gao 端科學儀器在支撐前沿科學研究中的重要作用。澤攸科技JS系列臺階儀的精準測量為研究成果提供了可靠數據支持，彰顯了國產科學儀器的技術實力。